成都大邑安仁古鎮：戲劇不散場 落幕不閉幕
2023-09-01 00:05:33
華為Mate60Pro搭載的麒麟9000S芯片，性能幾何？
2023-09-01 00:05:33 來源: 面包芯語
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
華為智能手機業務負責人余承東在8月4日舉行的2023華為開發者大會上介紹更新后的操作系統時表示：“我們鴻蒙生態走過了這艱難的四年，我們克服了重重困難，回首望去，輕舟已過萬重山，華為的旗艦手機也正走在回歸的道路上。”
8月29日，華為悄無聲息的扔下了一顆重磅炸彈，華為Mate 60 Pro手機直接上市銷售，并且帶著大家關切的麒麟芯片回歸了，這是自美國制裁以來，華為在智能手機硬件方面的最重要的突破性舉動。
(資料圖片)
華為Mate 60 Pro手機突發上市，引發巨大關注，人們的目光全部聚焦到搭載的這顆芯片及網絡制式上，華為真的突圍了?這是一部5G手機嗎？麒麟芯片是庫存還是新款？
華為官方渠道并未公布搭載了哪款芯片，系統也進行了隱藏。而眾多用戶稱，使用華為Mate 60 Pro手機不顯示“5G”標識，其基帶版本為21C50B717S000C000/21C50B717S000C000，和此前麒麟芯片的命名規則一致。根據速度測試，搭載4G芯片的華為Mate X3下載速度為100Mbps，iPhone 14 Pro 5G手機下載速度為500Mbps，令人驚喜的是，華為Mate 60 Pro手機測速顯示也在500Mbps水平，但我們也只能說是速度類似5G，也有可能是速度更快的4G。
據B站UP主@先看評測視頻顯示，在要求運營商關閉所謂的5G SA服務后，華為Mate 60 Pro手機網絡信號處跳出4G標識，而下行速度也降到了三分之一。說明這妥妥就是一臺具備5G速度的手機。
拆機視頻顯示，華為Mate 60 Pro手機的核心SoC芯片顯露出來，絲印清晰顯示“HiSilicon”，海思半導體，它回來了。還有代表麒麟9000型號的“Hi36A0”（但麒麟9000s是不同于麒麟9000的一款新芯片），芯片上還有“2035-CN”標識。不過，關于這顆麒麟芯片制程方面，還不得而知。
在性能方面，華為也帶來了驚喜。
安兔兔公布這款新機的跑分成績為 699783 分，該成績不包括GPU跑分，GPU 部分由于安兔兔還沒有適配，暫時還無法運行測試。據安兔兔跑分數據顯示，華為Mate60 Pro芯片型號為 Kirin 9000s，CPU采用了2+6+4的12核設計，其中包括兩顆 A34 核心，六顆A78AE核心，以及四顆A510核心，最高主頻2.62GHz；GPU 型號顯示為 Maleoon 910，采用12GB+512GB內存，搭載 HarmonyOS4.0系統。安兔兔表示，這款手機搭載的處理器似乎是新的架構，上述參數是以現階段能夠讀取到硬件信息，最終還是要以官方公布的參數為準。
另外，根據Geekbench跑分平臺的數據信息顯示，華為Mate60 Pro所搭載的這顆芯片最高主頻為2.62GHz，這一數據與安兔兔平臺所公布的數據是一致的。單核跑分達到了914分，多核達到了2896分。這個跑分成績與驍龍888相差不大，單核成績略低于驍龍888，多核成績略高于驍龍888。
華為麒麟芯片的回歸，無疑是中國科技行業的一大喜事。經歷了長時間的努力，華為終于成功突破，這對于華為來說，無疑是一份厚重的禮物。
來源：天天IC、新機報告等
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應用中的機遇與挑戰（題目暫定） ——廈門三安光電有限公司（已定） |
中國第三代半導體產業布局情況（題目暫定） ——中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（已定） |
SiC單晶生長技術淺析及應用展望（題目暫定） ——山西爍科晶體有限公司（已定） |
國產碳化硅功率器件機遇和挑戰（題目暫定） ——安徽芯塔電子科技有限公司（已定） |
國產SiC MOSFET發展要點淺析 ——泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽車半導體的碳化硅MOSFET解決方案（題目暫定） ——深圳基本半導體有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶體的生長技術，PVT法及液相法 ——中國電子科技集團公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術難點 ——上海積塔半導體有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系統研究與產業前景 ——南方科技大學（待定） |
氮化鎵同質外延功率/射頻器件應用與相關單晶襯底制備技術的研發進展 ——東莞中鎵半導體科技有限公司（待定） |
中國第三代半導體供應鏈現狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（待定） |
GaN在車用功率半導體的應用 ——蘇州晶方半導體科技股份有限公司（待定） |
*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發布為準。
若您有意向參與演講、贊助或參會，歡迎聯系我們！（見文末）
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中國大陸半導體大硅片項目表（月度更新）
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中國大陸半導體封測項目表（月度更新）
中國大陸電子特氣項目表（月度更新）
中國大陸半導體濕電子化學品項目表（月度更新）
中國大陸晶圓廠當月設備中標數據表（月度更新）
中國大陸上月半導體前道設備進口數據表（月度更新）
中國大陸半導體大硅片項目地圖（月度更新）
中國大陸8英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）
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