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2023-05-18 15:13:23
東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設備
2023-05-18 15:13:23 來源: 電子創新網
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。
(資料圖片)
鋰離子電池組依靠高度穩定的保護電路來減少充放電時產生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導通電阻。
SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝，已經發布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業界領先[1]的低導通電阻特性實現了低功耗，而業界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外，新產品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。
東芝將繼續開發用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。
應用
-??? 家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備，包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。
特性
-??? 業界領先的[1]低導通電阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
-??? 業界領先的[1]低柵源漏電流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
-??? 小型化超薄TCSPED-302701封裝：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
-??? 共漏極結構，可方便地用于電池保護電路
主要規格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | ||
配置 | N溝道共漏極 | |||
絕對最大額定值 | 源極-源極電壓VSSS（V） | 12 | ||
柵極-源極電壓VGSS（V） | ±8 | |||
源極電流（DC）IS（A） | 20.0 | 13.5 | ||
電氣特性 | 柵源漏電流IGSS 最大值（μA） | @VGS＝±8V | ±1 | |
源極-源極導通電阻RSS(ON) 典型值（mΩ） | @VGS＝4.5V | 1.00 | 2.1 | |
@VGS＝3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
@VGS＝3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
@VGS＝2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
封裝 | 名稱 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
尺寸典型值（mm） | 2.74×3， 厚度＝0.085 | 1.49×2.98， 厚度＝0.11 | ||
庫存查詢與購買 | 在線購買 | 在線購買 | ||
注：
[1] 截至2023年5月的東芝調查，與相同額定值的產品進行比較。
[2] 已發布產品。
如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM14N956L.html
如需了解有關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.SSM14N956L.html
關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商，公司累積了半個多世紀的經驗和創新，為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統LSI和HDD領域的杰出解決方案。
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