作為第三代寬禁帶半導體核心材料，碳化硅（SiC）憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率優、電子飽和漂移速度快等突出物理性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR 四大高增長領域，成為推動全球技術升級與效率革命的關鍵支撐。隨著多領域應用需求的爆發式增長，碳化硅行業即將邁入高速發展期，2030 年全球襯底需求量預計達 1676 萬片，較 2025 年供給將出現約 1200 萬片的產能缺口，市場潛力持續釋放。

材料性能鑄就核心優勢 四大產業形成應用合力

碳化硅的核心競爭力源于其獨特的物理特性，耐高壓、耐高溫、散熱快、能量損耗低、開關頻率高的優勢，使其在多產業場景中實現對傳統硅基材料的突破。在新能源領域，它是實現 "高效節能" 的核心器件；在 AI 產業，既支撐高壓配電架構，又有望破解先進封裝散熱難題；在 AR 領域，高折射率特性助力終端設備升級；在射頻通信領域，優良的散熱與高頻性能契合 5G-A 及 6G 時代需求，形成四大產業協同發展的應用格局。

新能源產業率先突圍 高壓化與高效化雙輪驅動

在新能源汽車領域，800V 高壓平臺已成為電驅系統發展的主流方向，相較于傳統 400V 平臺，其充電速度顯著提升，可將充電時間壓縮至 15 分鐘以內，同時有效緩解用戶 "里程焦慮"。數據顯示，搭載碳化硅逆變器的車型，CLTC 續航里程可提升 6.3%-6.9%，且在相同電壓和功率條件下，碳化硅逆變器的導通損耗和開關損耗遠低于硅基器件。隨著華為、比亞迪、特斯拉等企業紛紛布局兆瓦快充，高壓直流充電樁的配套需求同步增長，成為碳化硅需求提升的重要催化劑。

在光伏與儲能領域，碳化硅器件同樣發揮關鍵作用。在光伏發電環節，其應用于光伏逆變器，實現不穩定直流電到標準交流電的高效轉換；在儲能系統中，通過儲能變流器（PCS）完成交直流雙向轉換，憑借高頻特性與耐高壓能力提升能源轉換效率，成為光儲一體化發展的高效能引擎。

AI + 通信 + AR 開辟新藍海 技術升級打開增長空間

AI 產業的快速發展對電力供應和散熱技術提出更高要求。碳化硅器件不僅能支撐 800V 及以上電壓的配電架構，在變電站整流、固態變壓器等環節發揮關鍵作用，還可作為 CoWoS 技術的中介層，有望進一步拓展至基板和熱沉環節。若實現三大環節的產業化應用，2030 年全球碳化硅襯底需求量有望突破 3000 萬片。

在通信領域，隨著 5G-A 向 6G 演進，無線通信對電磁波頻率的要求持續提升。GaN-on-SiC 方案通過碳化硅襯底解決氮化鎵散熱短板，同時發揮氮化鎵的高頻優勢，成為射頻通信芯片的主流發展方向，將深度受益于下一代通信技術的升級迭代。

AR 產業的輕量化、全彩化需求則讓碳化硅迎來新機遇。其 2.7 的常規折射率遠高于樹脂和玻璃（不足 2），采用碳化硅光波導片的 AR 眼鏡，不僅視場角更廣闊，還能實現 RGB 色彩通道單層集成，解決彩虹紋問題，在全彩應用場景下大幅降低設備重量與厚度，成為 AR 終端升級的核心材料。

廣東博眾分析總結：

需求端的全面爆發推動碳化硅行業規模快速擴張，預計 2027 年碳化硅襯底將出現供需緊平衡，甚至可能面臨產能緊張。從需求結構來看，AI 中介層、新能源汽車、AR 眼鏡將成為三大核心增長點，2030 年需求占比預計分別達 37%、26%、23%。作為驅動多產業技術升級的關鍵材料，碳化硅正從功率器件向散熱材料、光學基底等多領域延伸，萬億級賽道雛形初現，將持續引領全球半導體材料產業的創新發展。

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